【摘 要】
：
设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块。激光器芯片采用MBE方法生长的宽波导、双量子阱结构的AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用6只准直的厘
【机 构】
：
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022
【出 处】
：
2010年全国半导体器件技术研讨会
论文部分内容阅读
设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块。激光器芯片采用MBE方法生长的宽波导、双量子阱结构的AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用6只准直的厘米条线阵半导体激光器,器件腔长为1.2mm,单发光区宽度100μm,发光周期500μm。
单条器件包括19个发光单元,单条器件的连续输出功率为50W,每只单条器件的准直输出光束经过空间合束后再通过光束对称化变换实现了多线阵器件输出的高光束质量功率合成。采用平凸柱透镜实现了合束光束与400 μm芯径、数值孔径0.22石英光纤的高效率耦合,整体耦合效率达到65％,最大耦合输出功率达到195 W,光纤端面功率密度达到1.55×105 W/cm2。
其他文献
中西医结合治疗血精伴男性不育１３例报告项举乐１沈军１王睿１刘亚民２（１六安地区医院２３７００５２六安卫校）血精是泌尿男生殖系少见症状，其原因复杂，但多为精道感染所致。１９８９年５月至１９９６年１１月我们收治血精症２２例，其中
柱状压电晶片堆主要由压电陶瓷晶片、金属定位螺栓、铜电极片、引线组成。各压电晶片之间夹有薄铜片,并用环氧树脂同心叠堆粘接以形成圆柱状晶片堆。通过有限元法分析晶片堆
以SnCL4·5H2O为原料聚乙二醇(PEG-1000)作为分散剂利用沉淀法制备出SnO2纳米粉体,采用扫描电镜(SEM)和X+射线衍射(XRD)对其形貌和微观结构进行表征。以SnO2纳米粉体为基材制
基于平板式静电微执行器的模型,分析了其pull-in现象,并且在考虑边缘效应的情况下,即根据考虑电容边缘效应的理论模型,推导出平板式静电微执行器的pull-in参数。然后用有限元
从晶体Si电池的正向和反向特性出发,对晶体Si光伏组件热斑效应的产生做了理论分析。并通过光伏组件中不同逆电流的单晶Si电池遮挡研究,得到了太阳电池逆电流对热斑保护的限制
一、肥水管理在草莓匍匐茎抽生盛期,要经常保持畦面湿润,最好能进行畦面喷灌遮阴,以利幼苗插根。注意清沟排水防止草莓烂根死苗。在茎苗盛发期一般不宜过多施用氮肥,可每隔15
GaN/InGaN化合物材料研究与大功率芯片制备工艺突破,器件技术进一步成熟、大功卒LED散热系统的改善,促进半导体光源成果产业化、室内外照明应用日益广泛,大有替代传统光源发
分别在InGaN/GaN多量子阱(MQW)上生长了SiO2薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝(AAO)膜,测定了这些样品的光致发光谱(PL),并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时
利用MOCVD生长Mg掺杂的AIGalnP材料,研究了Mg掺杂特性,在此基础生长了AIGaInP/GalnP 650 nm大功率量子阱激光器。通过采用Zn扩散无吸收窗口技术。制作出150 μm条宽1200 μm
安化县唐溪园艺场 1995年栽植的 3780株早津温州蜜柑 ,普遍感染柑桔碎叶病毒 ,定植当年就开始发病 ,2 0 0 0年大面积死树 ,10户承包农民 6年辛苦付于流水 ,经济损失达 4 0多