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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软贋势方法,模拟研究了4H-SiC 块体、表面及空位和反空位缺陷处在下4H-SiC 的电子结构和光学性质.计算得到：块体4H-SiC的带隙是2.045eV 的间接带隙半导体,4H-SiC 表面是带隙值为0.65eV 间接带n 型半导体,4HSiC表面存在空位缺陷时转变成带隙值为带隙值为0.46eV 的间接带隙p 型半导体,当存在反空位缺陷时4H-SiC 表面表现出半金属特性.4H-SiC 的光学特性主要由Si 3p 电子和C 3p 电子跃迁决定,Si 3p 电子和C 3p 电子的成键,成键类型和电子键合方式对4H-SiC 的光学特性起着重要的调控作用,计算结果为4H-SiC 的研究提供理论依据和参考.