论文部分内容阅读
介绍了微电子专用关键设备0.7μmi线投影曝光系统光刻物镜的主要技术指标，及设计试制中解决的关键单元技术和试制结果。结果表明，数值孔径NA=O.42，光刻工作分辨力0.6μm，像场尺寸14.6mm×14.6mm，畸变＜±0.1μm的5倍精缩投影光刻物镜已试制成功。物镜具有双远心和有温度气压控制补偿，在满足高精度成像的同时，又能同时满足暗场同轴对准的特点。