【摘 要】
：
本文用净成形真空液相压渗法制备了长为250mm的石墨纤维增强铝复合材料变截面梁,为进一步研制实用构件确认了工艺可行性.以悬臂梁的方式对试验件进行室温和350°C弯曲试验,介绍了夹具设计和试验方法.结果表明,M40J/LD2复合材料梁的刚度达到LY12对比件的1.93倍,复合材料样品的刚度受温度的影响比铝合金为小,体现了高模纤维的增强效果.
【机 构】
：
国防科技大学(长沙) 航天机电集团三院三部(北京)
论文部分内容阅读
本文用净成形真空液相压渗法制备了长为250mm的石墨纤维增强铝复合材料变截面梁,为进一步研制实用构件确认了工艺可行性.以悬臂梁的方式对试验件进行室温和350°C弯曲试验,介绍了夹具设计和试验方法.结果表明,M40J/LD2复合材料梁的刚度达到LY12对比件的1.93倍,复合材料样品的刚度受温度的影响比铝合金为小,体现了高模纤维的增强效果.
其他文献
碳化硅是目前宽带隙半导体材料研究的热点之一。它具有禁带宽度大，热导率高，电子的饱和和漂移速度大，临界击穿电场强度和介电常数低等特点。在高频、大功率、耐高温、抗辐射的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景。该文报道了使用超高真空化气相沉积法（ＵＨＶ－ＣＶＤ）生长硅基碳化硅薄膜，使用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱和傅立叶红外吸收光谱分析手段对薄膜的组分及结构进行了研究。
随着微电子技术的发展，尤其是铁电薄膜制备技术的发展，新型不挥发非破坏性读出存储器ＭＦＩＳ研究近年来受到人们普遍关注。制备ＭＦＩＳ存储器的铁电薄一般选用抗疲劳特性好的ＳＢＴ铁电薄膜，介质层一般选用ＺｒＯ〈，２〉作为阻挡层，以克服电荷注入效应，改进器件的性能。在ＭＦＩＳ的研制中，对ＳＢＴ薄膜和ＺｒＯ〈，２〉薄膜的刻蚀是关键工艺之一。该文研究了用反应离子刻蚀方法，以ＳＦ〈，６〉和Ａｒ作为反应气体刻蚀ＳＢ
实验研究表明８７５°Ｃ下Ｎ〈，２〉Ｏ退火氮化可明显改善７ｎｍＳｉＯ〈，２〉栅介质可靠性。氮化栅介质抗ＦＮ应力损伤能力增强，表现为Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态产生受到抑制、体内电子陷井产生速率降低、空穴和电子俘获陷阱减少；氮化降低栅介质内是缺陷密度，提高了栅介质本征击穿性能和完整性；氮化栅介质还表现较强的防止硼扩散到硅衬工能力。还对氮化提高栅介质可靠性的机理进行了探讨。
该文报道了作者研制成功的增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ异质结器件。该器件以ＩｎＧａＰ作为势垒层兼腐蚀栅槽的截止层。因而获得了很好的阈值控制。通过选择合适的势垒层厚度和掺杂浓度，获得了阈值电压接近零伏的增强型ＰＨＥＭＴ器件。其最大跨导２６５ｍＳ／ｍｍ，源漏击穿电压大于７Ｖ，输出截止特性好。栅极肖特基结正向开启电压为０．７Ｖ，反向击穿电压大于１２Ｖ，在－３Ｖ反偏处，漏电流小于１０ｎＡ。由于该
本文所涉及研究的目标是借助普通光刻结合光刻胶工艺、结合分子组装工艺等的选择性化学沉积法来获得电极间距可小于100nm的电极,同时研究这种电极结构应用于诸如单电子器件、DNA器件等纳米器件的研制.单电子器件是纳米器件发展中的一个重要内容.单电子器件的制备需要制作具有纳米尺度间距的电极,以及在电极间规则排列的库仑岛.通过的制备技术需要高分辨率的电子束"直写"光刻设备等条件,投资巨大,同时工作效率不高.
本文对泥浆浸渍热压热压法制备的CSiC陶瓷基复合材料,进行了1300°C至室温空气条件下的热震实验.结果表明:碳纤维的在空气中的氧化是CSiC造成复合材料失重及弯曲强度下降的主要原因,基体的开裂及剥离现象不很明显.
采用涂唰/喷涂法制备了Cf/SiC陶瓷基复合材料防氧化涂层,研究了BO、SiC、Si、SiO、BC涂层材料的选取对涂层性能的影响,并对涂层的防氧化效果进行了分析.结果表明:采用上述涂层材料制备的涂层比较致密、无裂纹存在,涂层起到了良好的防氧化作用,1400°C在空气中氧化1h后试样的重量保留百分率为93.0℅,保留强度为371Mpa.
本文采用修正的断裂镜面法,即采用纤维束试验确定镜面常数,将标距长度定义为两倍纤维拔出长度与两倍失效长度之和,采用分级平均统计分析方法确定纤维就位强度的Weibull参数和平均强度,对聚合物先驱体转化制备的M40JB纤维增强的碳化硅基复合材料中M40JB碳纤维的就位强度进行了分析,得到了M40JB纤维的Weibull参数和平均强度,并与未修正的断裂镜面法得到的结果进行了比较.
利用X射线衍射技术,Instron电子拉伸机和透射电子显微镜,本文对退火后SiCw/p-Al和SiCw/6061Al复合材料的位错密度和屈服强度进行了研究.结果表明,经过退火后的SiCw/p-Al复合材料基体位错密度随加热温度的升高而下降,但微屈服强度、屈服强度增加;而SiCw/6061Al复合材料基体的错密度在250°C保温时略高,且其屈服强度的变化趋势与位错密度的变化趋势一致.
本文提出了一个局部化与整体化相结合的宏细观统计数值分析模型,来分析研究先驱体转化法(PPT)制备的单向C/SiC单边切口梁三点弯曲断裂的破坏过程.数值模拟结果表明该模型是有效的,能够分析组份材料性能对材料宏观力学性能的影响,并能揭示材料破坏的细观机理.