【摘 要】
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我们利用水热法在生长有种子层的NiO/Si衬底上制备了ZnO纳米棒阵列.如图1所示,所制备的ZnO纳米棒排列整齐,直径100～200nm,长度约5μm.测量了其光致发光谱,可以看到在380nm附近的本征发光峰相对强度较低,而由深能级到价带的跃迁的激发光子中心转移引起的可见光发光峰相对强度较高,如图2所示.这是由于水热法制备的ZnO纳米棒阵列过程中从溶液中带出的大量的OH-、H2O或其它活性分子,对
【机 构】
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东南大学 生物电子学国家重点实验室,南京210096
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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我们利用水热法在生长有种子层的NiO/Si衬底上制备了ZnO纳米棒阵列.如图1所示,所制备的ZnO纳米棒排列整齐,直径100～200nm,长度约5μm.测量了其光致发光谱,可以看到在380nm附近的本征发光峰相对强度较低,而由深能级到价带的跃迁的激发光子中心转移引起的可见光发光峰相对强度较高,如图2所示.这是由于水热法制备的ZnO纳米棒阵列过程中从溶液中带出的大量的OH-、H2O或其它活性分子,对其本征发光产生抑制,同时增强了缺陷及表面态引起的可见区发光.在本文中,我们分别在氮气和氧气中对样品进行退火处理,分析了在不同气氛中退火对ZnO纳米棒阵列的光致发光性质的影响,并对其机理进行了研究.
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由于Eu3+在大多数基质中主要表现橙红光5D0→7F1,2发射,Eu3+激活的发光材料在显示和照明应用方面扮演着重要的角色。另外,Eu3+还可作为基质中镧系离子占据的格位数和格位对称性的探针,可以根据5D0-7FJ(J=0,1,2)跃迁劈裂数目来判断Eu3+所处格位的对称性。此外,Eu3+掺杂的化合物的O2-→Eu3+的电荷迁移带(CTB)能量及其强度,也是作为应用材料一个必不可少的性质。本文采用
灯用稀土蓝色荧光粉BaMgAl10O17：Eu2+(BAM)目前存在的主要问题是热稳定性差和色坐标漂移.本研究采用溶胶-凝胶法对目前市场上使用的蓝色荧光粉BAM进行MgF2包膜处理，研究MgF2包膜对BAM热稳定和色坐标漂移的影响.X射线衍射和扫描电子显微镜结果显示MgF2已经均匀的覆盖在BAM的表面.对包膜样品的发光特征研究表明：包膜对BAM的发射光谱位置没有任何改变，但是对热稳定性和色坐标的稳
稀土离子激活的发光材料受到人们广泛的关注,这缘于其具有优良的发光性能.近年来,场发射显示器(FEDs),平板显示器(PDPs)以及白光发光二极管(LEDs)的发展也极大的推动了稀土发光材料的研究.寻找一种稳定的,稀土离子掺杂后具有高的发光效率的的无机发光材料基质是一顶很重要的工作.本文采用传统的高温固相法合成了新型的三价稀土离子Eu3+,Dy3+激活的Bi2ZnB2O7发光材料.通过X射线衍射(X
采用高温固相反应方法合成了Eu2+掺杂Li2CaSiO4基质荧光粉,测定了它们的VUV-UV激发光谱和相应的发射光谱、荧光寿命和阴极射线发光等性质.结果表明：Li2Ca1-xEuxSiO4荧光粉在230-350 nm和350-450 nm波段分别有很强的吸收,发射主峰位置大约位于477 nm,为青色光发射,猝灭浓度约为0.9 mol％.荧光衰减曲线表明,荧光寿命大约为500 ns.此外,本发光材料
采用水热法合成Tb3+掺杂碱土钨酸盐AWO4(A=Ca,Sr,Ba)球形绿色荧光粉.通过X射线粉末衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM),能量色散光谱(EDS)能谱来表征荧光粉的晶体结构和颗粒大小,形貌及成分；激发光谱和发射光谱以及荧光衰减曲线来研究荧光粉的能量传递机理.AWO4：Tb荧光粉样品激发光谱存在220-280nm处有强的激发宽谱带.通过对其光谱分析表明：在CaWO4：Tb中宽谱带归功
照明显示领域的人工白光技术大都依据三基色配色原理,采用多组分多晶混粉光转换模式,存在光再吸收、光衰不一致等问题。采用单一组分(或称单相)的全谱直接白光模式是一种创新方案,成为近年来竟相研发的热点。我们提出在钙钛矿型铝酸镧基质中,基于共存变价Eu特征发射实现直接白光的新模式(图一)[1-3],其中450 nm的蓝光是Eu2+的5d-4f跃迁发射,592 nm和618 nm的红光发射是Eu3+的5D0
使用高温固相法合成了系列稀土离子掺杂的硼酸盐热释发光材料。观察到稀土离子对磷光体内的陷阱有较大的影响：不同的稀土掺杂材料其热释光曲线的峰形、峰温和强度都不尽相同。通过光致发光光谱和三维热释光谱来研究热释光的发射机制。利用分步退火技术研究了辐照后磷光体的顺磁共振谱，并联系热释光曲线，来探索磷光体内部俘获陷阱与顺磁中心之间的联系。对磷光体的热释光剂量响应，退火程序、重复性以及稳定性等剂量学性质进行了研
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硅(氧)氮化物荧光材料由于具有优越的热稳定性和化学稳定性以及发光性质,近年来在照明显示领域得到了广泛研究.由于直接形成Si-(O)-N键合的硅(氧)氮化物的实验条件要求苛刻,用Si-N键改性Si-O或者Al-O等基质结构是实现峰位红移、增强荧光或提高热稳定性等的另一个途径,1-2我们也开展了类似工作.3-4作为例子,我们以Si3N4形式引入Si4+-N3-,考察了Si3N4对SrAl2Si2O8：
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