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采用阳极氧化法在钛丝表面生长TiO2纳米管三维阵列，然后采用连续离子层吸附反应(SILAR)方法在其表面沉积CdS纳米晶进行光敏化。结果表明，CdS光敏剂能够有效将三维阵列电极的光响应扩展到可见光区间。这种新型的三维阵列电极能够收集来自任何角度的入射可见光，因而能够高效地利用环境中的反射光[1-3]。通过简单设计，使用反射镜将入射光重复利用，将三维阵列电极的光电流输出提高了69％左右。为优化CdS/TiO2纳米管三维阵列光阳极的光电活性，探讨了阳极氧化时间、SILAR沉积CdS次数、光强、绕轴旋转等因素对电极光电活性的影响。在100mW/cm2模拟太阳光下，通过对反射光的高效利用，三维电极的光电流输出为13.2 mA。