KOH自停止腐蚀技术研究

来源 :第四届全国微米/纳米技术学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangxiaoxiao880523

【摘要】

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本文在大量的实验结果基础上,给出了KOH自停止工艺的优化参数.利用KOH自停止腐蚀技术,我们制备了微悬梁,薄膜,薄膜光栅,加速度计等结构,并获得了较满意的均匀性.对Si平面薄膜

【作者】

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浙江大学信电系(杭州) 韩明王跃林王文辉

【机构】

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中科院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室(上海)

【出处】

：

第四届全国微米/纳米技术学术会议

【发表日期】

：

2000年期

【关键词】

：

自停止平面薄膜表面粗糙度优化参数扫描范围纳米量级颗粒尺寸加速度计腐蚀技术测量表薄膜光栅均匀性悬梁显示实验结构基础工艺

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本文在大量的实验结果基础上,给出了KOH自停止工艺的优化参数.利用KOH自停止腐蚀技术,我们制备了微悬梁,薄膜,薄膜光栅,加速度计等结构,并获得了较满意的均匀性.对Si平面薄膜的测量表明:在1000μm内的扫描范围内,Si平面薄膜的B扩面和腐蚀面的表面粗糙度分别在50nm和22nm左右;SEM测量显示,Si薄的颗粒尺寸在纳米量级.

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