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本文研究了化学配比的CeO2(111)面上吸附的H的行为，同样也关注了含氧空位的情况，借此探索了氧空位在其中所起的作用。通过DFT+U研究，发现氧空位的存在所带来的结构弛豫及电子结构的改变对于H在二氧化铈(111)面的反应及迁移有着显著的影响。造成这种影响的深层原因来自氧空位的存在会削弱该氧空位附近H的吸附强度，且影响的幅度随着局部氧空位浓度的增大而增强。