论文部分内容阅读
实发射极自对准HBT的研究
【机 构】
：
科学院微电子中心
【出 处】
：
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
【发表日期】
：
1996年期
其他文献
对于机器人操作手运动学模型求解的系列关系式最佳推导的问题，分析了矩阵运算的一些技巧和旋转矩阵正交性的有关性质，并讨论了系列Ａ矩阵相乘运算的化简规律，在此基础上提出了运动
Si—SiO[*v2*]界面过渡层中的载流子陷阱对硅体内电子的慢俘获作用将导致双极晶体管电流放大系数h[*vFE*]随时间的漂移。该文从这种漂移的物理机制出发，建立了严格的数学模型，