热丝CVD金刚石膜的晶体学特征和晶体缺陷

来源 :2002年中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:djsnsd
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
在P-Si(100)基片上沉积的热丝CVD金刚石膜具有很好的晶形,颗粒以立方八面体为主,还有少量的孪晶正二十面体和孪晶正十面体颗粒,颗粒间结合良好;膜中不存在生长织构.正二十面体和正十面体颗粒都是"五重孪晶"结构,在颗粒表面上与五重孪晶面对应的区域形成V形凹槽,这种V型槽对五重孪晶金刚石颗粒的长大有热力学和动力学两方面的有利作用.五重孪晶颗粒的每一孪晶片内均发生了两组(重){111}微孪晶,但在五重孪晶面两侧却存在"无微孪晶区",其内无微孪晶,但有少量位错.在已有颗粒上通过二次形核生成的金刚石颗粒也与原颗粒保持{111}孪晶关系.
其他文献
采用扩展Su-Schrieffer-Heeger模型,计入系统的库仑相互作用,研究了单壁纳米碳管的电学性能.在Unrestricted Hartree-Fock近似下,得出:(1)电子态密度曲线在引入了电子关联以后费米能级处产生了许多新的峰值;(2)电子态密度曲线总体向能级升高的方向发生了移动;(3)电子态密度曲线的对称性被破坏,且总的峰值数目增加.通过计算(8,0)型、(9,0)-(8,0)型碳
对生成热为正(+3kJ/mol)的互不固溶的Cu-Ta系统中发生的晶态-非晶态相变进行了原子尺度上的研究.该系统在平衡状态下不存在任何中间化合物,因此,在拟合Cu-Ta多体势时缺乏必需的相关物理性能数据.为此,本文首先通过第一性原理计算获取了Cu-Ta系统中可能的亚稳合金相CuTa和CuTa的一些物理性能,然后采用嵌入原子方法(EAM),拟合出Cu-Ta系统的原子间相互作用多体势,并论证了它的适用
采用平面波赝势方法和扰动近似计算对所有可能的具有闪锌矿和纤锌矿结构的二元Ⅲ-Ⅴ与Ⅳ族半导体材料的原子结构、力学、电子与声子振动性质进行了系统研究.计算结果与已知材料的有关实验结果高精度符合,并对潜在新材料的性质进行了预测.
用扫描电镜、双光束紫外可见分光光度计和椭偏仪研究了在氮气(N)氛下制备的C薄膜的表面形貌及光吸收特性.研究发现,薄膜表面粒子粒径随气压的增大而增大,表面结晶现象也随气压增大而明显;与真空中制备的C薄膜比较,发现其紫外可见吸收的相对强度明显不同,吸收峰位明显位移;并且随着氮气压强的增加吸收峰位红移增加.对其氮气氛下C薄膜的形成机理及光吸收特性进行了讨论.
本文应用奇异摄动法研究了DF模型下金属多胞材料Ⅲ型裂纹的稳态扩展,并根据裂纹尖端附近的塑性变形与弹性变形必须相平衡的观点给出了裂尖附近的最低阶渐近解.
微弧氧化是一种在有色金属表面生长陶瓷膜的新技术.本文通过等离子体微弧放电在Al-Si铸造铝合金表面沉积出较厚的陶瓷层.用扫描电镜、X射线衍射仪分析了膜的形貌、成分和相组成,用显微力学探针测定了膜的硬度和弹性模量分布,并探讨了陶瓷相的形成机理.在硅酸盐电解液中获得的微弧氧化膜厚度可超过130μm,膜与铝合金基体结合良好.膜由莫来石、α-AlO、γ- AlO晶态相和SiO非晶相组成.研究表明,H和E在
本文用物理和化学相结合的方法制备出负载型纳米NiO薄膜,并对其结构和性能进行了初步研究.首先采用氢电弧等离子体法制备出纳米Ni粉体,用物理法负载到载体AlO上,经高温焙烧一段时间,温度降至室温后浸渍Ni(NO)溶液数小时,经干燥焙烧即可制得负载型复合纳米NiO薄膜.用SEM和TEM对此薄膜进行了结构表征,结果表明:负载型纳米NiO具有层状结构,且NiO粒子主要呈球形,粒径均小于100nm.并研究了
本文采用燃烧化学沉积法制备纳米陶瓷薄膜,以反应物在火焰热流体中的密度为动力学变量,研究了晶核形成能和晶核临界尺寸,分析了系统可控变量与形核率的关系.
本文采用了沉积纳米陶瓷薄膜的一种新方法——燃烧化学沉积法.其特点是将配制好的初始液体雾化,让该液雾穿过高温火焰流体.初始液体在火焰中发生化学反应,并形成反应火焰流,该反应火焰流体系在火焰流的前方基体上沉积出纳米陶瓷薄膜.本文以制备α-AlO纳米薄膜为例,分析了工艺条件对制备纳米薄膜的影响.
本文用Si(100)基片做衬底,1:1的三聚氯氰和三聚氰胺的乙腈饱和溶液为电解液,在常温常压下用电化学的方法沉积了CN薄膜,并在500℃、N气氛下对其做了热处理.用X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶转换红外光谱(FTIR)、X射线衍射图谱(XRD)对沉积的CN薄膜进行了测试和分析.XPS结果表明沉积的CN薄膜的w(N)/w(C)为0.9左右,氮是以SP和SP杂化形式与碳成键.FTIR表明碳和氮主要