【摘 要】
：
在异质结中,磁电阻效应和整流效应通常是相互分离的,磁电阻材料或器件通常没有整流效应,而整流二极管没有磁电阻效应.因此磁电阻和整流被分别用于不同的电子器件中,如磁电阻效应在计算机硬盘的读头以及磁传感器方面有广泛的应用,而二极管的整流效应在现代半导体电子电路以及高频信号处理方面有着举足轻重的作用.我们的工作是将交流电流引入到特定的Al/Ge 肖特基异质结中,发现了其整流电压随外磁场急剧变化的现象--整
【机 构】
：
山东大学物理学院,济南 250100
【出 处】
：
第十六届全国磁学和磁性材料会议暨第十七届全国微波磁学会议
论文部分内容阅读
在异质结中,磁电阻效应和整流效应通常是相互分离的,磁电阻材料或器件通常没有整流效应,而整流二极管没有磁电阻效应.因此磁电阻和整流被分别用于不同的电子器件中,如磁电阻效应在计算机硬盘的读头以及磁传感器方面有广泛的应用,而二极管的整流效应在现代半导体电子电路以及高频信号处理方面有着举足轻重的作用.我们的工作是将交流电流引入到特定的Al/Ge 肖特基异质结中,发现了其整流电压随外磁场急剧变化的现象--整流磁电阻效应.
其他文献
磁性纳米氧化铁作为MRI造影剂和磁感应加热剂已经应用于临床诊断和热疗,但是后者仍然局限于瘤区局部介入给药,因此如何实现通过静脉给药并高效主动靶向到肿瘤组织,是未来热疗领域的迫切需求,也是目前国际热疗研究的前沿和挑战.
近年,Heusler 结构稀磁半导体由于居里温度高和在Heusler 结构中引入磁性原子相对容易而备受人们青睐.然而,在过去几年中,人们的研究大部分仍旧未脱离传统的研究方法,即将磁性原子通过替换方式引入到半导体基体中,进而获得稀磁半导体.事实上,Heusler 合金的成分组成和结构特点,天然地提供了一个开发新型稀磁半导体的途径——反占位诱导稀磁特性,这一点人们关注很少.在Heusler 合金中,人
超顺磁限制是提高磁记录介质存储密度的一大障碍.克服这个问题的办法之一是使用具有高磁晶各向异性的纳米颗粒.稀土基合金的纳米颗粒具有高活性极易被氧化;而后序热处理才能获得L10相FePt,使FePt 合金进入实际应用也极具挑战性.因此,研究具有高磁晶各向异性的新型硬磁材料有重要意义.
尖晶石铁氧体在微电子器件、自旋电子器件、传感器以及光电导管等器件中具有潜在应用价值,从而得到广泛的研究.其中,Fe3O4最具代表性且被广泛应用.稀土元素具有大半径,高磁弹性,其磁晶各向异性也很大.用稀土元素掺杂Fe3O4,可以有效地优化Fe3O4的磁性和输运特性.
由于退火过程中产生的高能量可能引发界面化学反应.此外不同氧化物中的氧空位的浓度和迁移速率不同.因而退火过程对于不同特性的氧化物与铁磁界面氧化态的改变仍然有待进一步研究.本工作主要研究了界面效应对具有不同电负性氧化物(SiO2,MgO和HfO2)包覆的NiFe薄膜的磁性及电输运性能的影响.
由于图形薄膜在磁传感器和磁存储器件,尤其是自旋转移矩纳米振荡器方面具有广泛的应用,受到了人们广泛的关注[1,2].阻尼因子的调控是改善器件性能的重要手段,由于图形薄膜的非均匀磁化导致图形薄膜和连续薄膜之间存在较大的差别,而通过铁磁共振线宽可以很好的对这些差异进行分析[3].
钙钛矿锰氧化物的电荷、自旋、轨道和晶格自由度之间的强耦合产生了奇特的物理性质,如金属-绝缘体转变、庞磁阻效应、电荷/自旋/轨道有序等,是目前物理和材料领域的研究热点.锰氧化物中各量子态具有相近的自由能,造成多个亚稳相的共存与竞争,因此锰氧化物的宏观性能(如金属-绝缘体转变温度、居里温度及电输运特性)对外加物理场(如磁、光、电、应力)极为敏感.
自上世界90年代以来,钙钛矿锰氧化物一直是物理学和材料科学领域研究的热点.而La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO)薄膜由于具有高的铁磁-顺磁转变温度和好的电传导性,且晶格常数与大多数钙钛矿氧化物匹配度好,因而在磁隧道结、多铁异质结等结构中具有广泛的应用前景.特别是最近在LSMO/SrTiO3(STO)异质结中观察到的二维铁磁电子气更是引起科学家们的极大兴趣[1].目前,对不同衬底上LSMO 薄
近年来,自旋电子学的重大进展之一自旋塞贝克效应向人们展示了磁性材料中由温度梯度引起的自旋流,并可以通过非磁金属层中的逆自旋霍尔效应测量,此为能量的转换提供了可靠的途径.与此同时,反铁磁中磁矩的特殊排列能否提高自旋塞贝克效应的热电转换效率成为人们关注的焦点.我们在Y3Fe5O12/Pt之间注入一定厚度的反铁磁NiO,在Y3Fe5O12/NiO/Pt 模型中采用自洽的玻尔兹曼理论[1].
由于自旋霍尔效应,Pt 中的电荷电流Je 会引起自旋电流Js的出现,这种自旋电流垂直于膜面传输,其极化方向则平行于膜面.而在薄膜表面,自旋电流会反射回薄膜中,并通过逆自旋霍尔效应而产生一个平行于膜面的电荷电流Je,如图1 所示.在 Pt/YIG 双层膜中,YIG的磁矩与Pt 中自旋极化的传导电子相互作用,使得一部分自旋电流通过自旋转矩的方式被吸收掉,于是自旋电流反射被抑制.