【摘 要】
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设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源,基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管,得到关于温度的非线性电流,补偿VEB的高阶温度项。用标准的0.6μm CMOS BSIM3v3
【机 构】
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西北大学信息科学与技术学院,陕西,西安,710069
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设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源,基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管,得到关于温度的非线性电流,补偿VEB的高阶温度项。用标准的0.6μm CMOS BSIM3v3模型库对该带隙基准源进行了仿真,结果表明在±1.5V的电源电压下,输出基准电压为-1.41855V,从-55℃到125℃较宽的温度范围内,输出电压的变化只有0.35mV,有效温度系数(TC)达到1.37ppm/℃.
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