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用ＰＬＤ方法成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，开制作成Ｐｔ／ＳＢＴ／Ｐ薄膜电容器。ＳＢＴ薄膜的晶面取向以（００８）和（１１５）为主。在５Ｖ电压下，极化反转，可与ＩＣ兼容；并且得到较饱和的电滞回线，剩余极化强度和矫顽电场分另为８．４μＣ／ｃｍ〈’２〉和５７ｋＶ／ｃｍ。Ｉ／Ｖ特性测试，显示两个对称的双稳峰，并得到零电压下电容约为５６０ＰＦ，介电常数约为６００。疲劳测试表明ＰＴ／ＳＢＴ／Ｐｔ具有优良的抗疲劳特性。