低压化学气相沉积(LPCVD)低温制备VO2薄膜

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采用低压化学气相沉积法(LPCVD)在低于400℃的条件下成功制备出VO2薄膜。VO2薄膜表征手段包括XRD、拉曼、XPS、SEM和AFM。通过合理地调控工艺参数可得到厚度可控且结晶度高的多孔纳米VO2膜。研究结果表明,石英基底上厚度分别为85.69 nm和82.88 nm的VO2薄膜,其可见光透过率分别为为52.1%(20℃)/52.18%(90℃)和52.27%(20℃)/44.39%(90℃),红外调控能力达到9.97%和16.23%,相变温度为62.15℃和64.4℃。优异的热致变色性能使其适合应用于VO2基智能窗上。另外,利用两步沉积法可进一步将薄膜沉积温度降低至325℃。
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