【摘 要】
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本文报道了氮化硼(BN)薄膜的射频溅射制备方法和形貌表征.主要研究射频功率和衬底负偏压对制备BN薄膜的影响.BN薄膜沉积在Si(100)衬底上,工作气体为Ar气和N气混合而能形成立
【机 构】
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北京工业大学材料学院教育部新型功能材料重点实验室(北京)
【出 处】
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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
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本文报道了氮化硼(BN)薄膜的射频溅射制备方法和形貌表征.主要研究射频功率和衬底负偏压对制备BN薄膜的影响.BN薄膜沉积在Si(100)衬底上,工作气体为Ar气和N<,2>气混合而能形成立方相(立方氮化硼c-BN)只能形成六角相(六角氮化硼h-BN),当射频功率足够高,再加以适当的衬底负偏压,可以形成立方相.在射频功率和衬底负偏压分别为400W和210V时,得到了立方相含量高于80﹪的c-BN薄膜.薄膜的形貌由AFM表征,由AFM图可以看到含有立方相的BN薄膜有明显的剥裂现象.
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