【摘 要】
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SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)方法在Si衬底上外延高质量的单晶SiGe层,然后向样品中注入60keV、3×10cm的氧离子,从而在异质结附近形成富氧层,最后经高温退火工艺得到所需的SiGeOI结构.
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
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SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)方法在Si衬底上外延高质量的单晶Si<,0.86>Ge<,0.14>层,然后向样品中注入60keV、3×10<17>cm<-2>的氧离子,从而在异质结附近形成富氧层,最后经高温退火工艺得到所需的SiGeOI结构.
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