【摘 要】
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辉光放电质谱法(GD-MS)是目前被公认的对固体金属和半导体材料直接进行痕量及超痕量分析的最有效的手段.由于它基体效应低;低温冷却离子源使分子及多重带电粒子明显减少;具有
【机 构】
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昆明物理研究所,昆明,650223
【出 处】
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2006年世界华人质谱学术报告会暨中国质谱学会第八届学术交流会
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辉光放电质谱法(GD-MS)是目前被公认的对固体金属和半导体材料直接进行痕量及超痕量分析的最有效的手段.由于它基体效应低;低温冷却离子源使分子及多重带电粒子明显减少;具有高分辨率、低检出限的特点(如ThermoElemental推出的VG9000型辉光放电质谱仪,其常规分辨率为4000,最高可达10000);此外,辉光放电离子源对不同元素的响应差异较小(一般在10倍以内),并具有很宽的线性动态范围(约10个数量级),因而十分有利于超纯样品的半定量分析,被广泛应用于高纯金属、高纯半导体原材料及合金半导体材料的分析.本文研究 辉光放电质谱法中干扰峰的分析，质谱干扰，未知元素的确定。
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