半导体光催化剂晶面的研究越来越受到人们的关注,TiO2半导体不同的暴露晶面对光催化分解水以及降解有机污染物的研究中得到了广泛应用。有研究者尝试对其不同晶面的氧化还原性质进行探索以更深入的理解光催化的机理,但是目前证据仍不确凿且存在很多争议。此外,TiO2只能吸收太阳光谱中的紫外部分,一定程度上限制了其在光催化研究中的应用。开发具有可见光响应的催化剂使其具有不同的暴露晶面,并且探索不同暴露晶面的氧化还原性质对光催化剂的可控合成和机理研究都具有非常重要的意义。
　　本文通过选择性光沉积的方法对可见光响应的BiVO4半导体的晶面进行研究，利用不同金属离子前驱体作为反应物，探索催化剂表面的不同反应活性位，以更进一步认识光催化的氧化反应和还原反应过程，并且通过一系列实验排除吸附等其他因素对沉积过程的影响，以证明氧化反应位和还原反应位的存在是由光催化剂本身引起。半导体光催化剂氧化还原晶面研究对认识光催化反应的机理以及进一步设计高效光催化体系提供了一种新的思路。