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深入地研究了SIN<,x>钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT电性能的影响，实验结果表明，pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降；当膜厚超过200nm时，将影响pHEMT器件电特性。
SIN<,x>钝化膜厚度对pHEMT的性能影响
【摘 要】
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深入地研究了SIN钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT电性能的影响，实验结果表明，pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降；当膜厚超过200nm时，将影响pHEMT器件电
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2000年期
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