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本文利用器件仿真软件Silvaco Altlas建立了考虑表面态和陷阱效应的微波AlGaN/GaN HEMT器件物理模型.针对毫米波GaN HEMT器件短栅长引起的短沟道效应,本文采用了更精确的能量平衡模型.仿真结果与实测结果取得了良好的一致性.
毫米波AlGaNGaN HEMT器件物理模型仿真
【摘 要】
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本文利用器件仿真软件Silvaco Altlas建立了考虑表面态和陷阱效应的微波AlGaN/GaN HEMT器件物理模型.针对毫米波GaN HEMT器件短栅长引起的短沟道效应,本文采用了更精确的能量
【机 构】
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电子科技大学,极高频复杂系统国防重点实验室,成都611731
【出 处】
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2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议
【发表日期】
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2014年7期
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