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在玻璃衬底上采用PECVD法制备a-Si:H薄膜基础上,采用308nmXeCl激光器对所制备的薄膜进行了激光晶化烧结,利用XRD、Raman、SEM及电学性能测试等方法对所制备多晶硅薄膜材料的结构与性能进行了研究.
多晶硅薄膜材料的准分子激光烧结制备与性能研究
【摘 要】
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在玻璃衬底上采用PECVD法制备a-Si:H薄膜基础上,采用308nmXeCl激光器对所制备的薄膜进行了激光晶化烧结,利用XRD、Raman、SEM及电学性能测试等方法对所制备多晶硅薄膜材料的
【机 构】
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中科院长春光学精密机械与物理研究所(吉林长春)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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2001年期
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