n-AlGaN层生长参数对LED的ESD良率的影响

来源 :第13届全国MOCVD学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：l907603912

【摘要】

：

GaN基LED的失效主要来自于芯片有源层过热损伤、金属电极的稳定性、静电损伤(ESD)及封装材料的退化等.对GaN基LED来说,提升芯片结构中的电流扩展能力能提高ESD的良率[1].在早期LED的生长过程中,低温生长的MQW是直接沉积在高温n-GaN层上的,较大的生长温差会导致有源层的界面特性较差,从而引起缺陷的产生,而缺陷又成为电流泄露的通道,导致ESD良率下降.

【作者】

：

吕强甘志银

【机构】

：

武汉轻工大学电气与电子工程学院,武汉430042;广东昭信半导体装备制造有限公司,佛山528251

【出处】

：

第13届全国MOCVD学术会议

【发表日期】

：

2014年2期

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