Subli100 Silicon Carbide M-PVT Sublimator

来源 :2011上海半导体材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a_hai1983
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LOW COST HIGH PRODUCTIVITY Seed diameter up to 100mm Temperature: 2000-2400℃ Growth Pressure: 10-400 mbar Carrier Gas: He/H2/Ar-flow: 5slm N-type doping (N2)-flow: 0,5slm P-type doping (TMA)-flow: 0,5slmSchematics of main groups Cooling water
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