【摘 要】
：
该文采用二次合成法制备出掺杂镧钾离子的PZN基陶瓷，研究了镧、钾离子对PZN-BT-PT三元系弛豫铁电陶瓷的相结构、介电性能的影响。研究结果表明，镧离子掺杂引起电荷不平衡，产生有利于焦绿石相生成的富Nb区；随着谰含量的增加，PZN基陶瓷中的焦绿石相增加，导致材料的介电常数急剧降低；钾离子掺杂引起电荷不平衡可以通过产生氧空位得到补偿；镧、钾离子掺杂均可使居里温度T向低温方向移动，并能提高材料的温度稳
【机 构】
：
工业大学材料科学与工程学院(西安)
【出 处】
：
第三届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
该文采用二次合成法制备出掺杂镧钾离子的PZN基陶瓷，研究了镧、钾离子对PZN-BT-PT三元系弛豫铁电陶瓷的相结构、介电性能的影响。研究结果表明，镧离子掺杂引起电荷不平衡，产生有利于焦绿石相生成的富Nb区；随着谰含量的增加，PZN基陶瓷中的焦绿石相增加，导致材料的介电常数急剧降低；钾离子掺杂引起电荷不平衡可以通过产生氧空位得到补偿；镧、钾离子掺杂均可使居里温度T<,max>向低温方向移动，并能提高材料的温度稳定性。
其他文献
该文合成了五种烷氧基取代的聚萘乙炔，研究了烷基取代对电导率的影响。发现电导率先随取代基的增长而增大，但烷氧基的碳数超过4时，电导率开始下降。
研究了制备脱蛋白天然胶乳（DPNRL）的方法及其影响因素，以及脱蛋白浓缩胶乳的基本性能、自然贮弃的性能稳定性。结果表明、脱蛋白胶乳的制备方法可行，各项性能良好。
在PbWO中掺入ZnO生长Zn：PbWO晶体。研究Zn：PbWO晶体生长工艺，克服由于液流转换引起的缺陷，测试Zn：PbWO晶体的透过率、发光效率，探讨Zn：PbWO晶体闪烁性能增强的机理。
采用可溶性前聚物法合成了聚恭乙炔，探讨了时间、温度、摩尔比对反应的影响，采用IR，FTIRHNMR和GC／MS谱对产物进行了表征，并测定了聚蔡乙炔用不同掺杂剂掺杂后的电导率。
该文首先讨论了迁移现象中迁移特征时间对梯度材料制备工艺的影响，然后按照迁移现象中热传导、传质扩散和流体流动的分类归纳了迁移现象在各种梯度材料制备工艺中的具体应用，并指出迁移现象在梯度材料研究中应注意的两个问题。
该文通过短路热激放电（Thermally Stimu-lated Discharge，TSD）电流谱的测量，对大鼠皮肤极化前后的介电特性进行比较分析，研究人工极化对大成皮肤的介电及驻极态变化的影响，探讨极化前后皮肤中空间电荷和偶极电荷的动态特性。结果指出：1）极化前，大鼠皮肤在RT～150℃温区的TSD电流谱出现多个电流峰，其分别是皮肤角质层类脂层状结构相变和蛋白质变性过程中空间电荷的释放与偶极电
用熔体快淬法制备了NdFeCoNbB纳米复合永磁材料。清楚地观察到了纳米复合材料中由硬磁相Nd（Fe，Co，Nb）B和软磁相α-Fe（Co，Nb）晶粒之间的交换耦合引起的居里温度增强效应和剩磁增强效应。发现在x=8时有最大的居里温度增强△T=13K和最大的剩磁增强ΔJr＝0.33T，在调x=12时有最大的矫顽力μH=1.31T，而在x=9时有最挂的永磁性能:（BH）=154.4kJ／m，Jr=1.
卤化镉基玻璃是一类新的红外光学材料。该文报道CdCl-BaCl-KCl（NaCl）体系和CdF-BaF-CdCl体系玻璃的制备和特性。他们的成玻范围分别为：CdCl30～60，BaCl15～55，KCl（NaCl）0～35mol℅；CdF 14～56，BaF 13～55，CdCl 0～55mol℅。它们的红外透过波长范围分别为2.5～15μm和2.5～9μm左右。组成为CdF（40）-BaF（30
用射频溅射的方法通过衬底上加负偏压在硅衬底上成功制备出高立方相含量的氮化硼薄膜，傅立叶变换红外谱的分析表明，沉积薄膜由立方氮化硼、六方氮化硼和三氧化二硼3种成分组成。衬底负偏压对薄膜中各组份的含量有较大影响，随衬底负偏压的升高立方氮化硼的含量增加，六方氮化硼的含量减小。另外，研究人员首次在不加衬底负偏压的条件下，用射频溅射的方法沉积得到了含立方相的氮化硼薄膜。
采用氧化铝还原氮化法，研究制备立方AlN陶瓷粉末。研究原料粉末特性、还原氮化温度及保温时间等对立方AlN合成的影响；并分析了立方AlN的生成机理和存在规律。结果表明，降低AlO粉末粒度可降低立方AlN的生成和存在温度；在立方AlN已经生成的条件下，随反应温度提高和反应时间延长，立方AlN会转变为六方AlN；立方AlN为一高温不稳定相，在1800℃左右转变为六方AlN；立方AlN可能是AlO与六方A