1.2umCMOS工艺BSIM1模型参数的提取

来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jasmineonbridges
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该文简单地介绍了BSIM1器件模型,给出了采用IC-CAP软件提取模型参数所需的器件结构和测试系统,并针对华晶1.2umCMOS工艺提取了一套BSIM1的模型参数;同时还讨论了这套模型参数用来设计1.2umCMOS模拟电路的可行性。
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