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@@ZnS是一种Ⅱ、Ⅵ族本征半导体材料，以它为基体的发光材料在平板显示器，发光二极管，太阳能电池中有着广泛的应用。自Bhargava首创在纳米微晶中掺杂元素以改变电子跃迁途径的方法以来，掺杂半导体纳米晶材料就引起了人们的广泛关注。通过对ZnS纳米线采用适当的元素的掺杂活化，能使ZnS半导体材料具有与其处于宏观物块时完全不同的光电性质，在光电学领域有着巨大的应用潜力。本文通过溶剂热合成法以乙二胺和水作溶剂在高压釜中制备了六方相得Mn掺杂ZnS纳米棒，对其显微结构进行了表征，并对不同掺杂浓度下的磁学性质作了初步的研究。