【摘 要】
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为了提高HIT 电池短波响应,采用电子束蒸发MoO3 制备约10nm 的宽带隙透明金属氧化物MoOx 代替非晶硅作为硅基异质结电池发射层,将短路电流从参考HIT 电池的36.91mA/cm2 提高到 38.62mA/cm2.同时,我们研究了MoOx 与本征非晶硅对硅片的钝化,发现MoOx 能一定程度钝化硅片,并且随着MoOx 薄膜厚度增加,硅片的少子寿命逐渐提升,但由于MoOx 的电导率很低,电池
【机 构】
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天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,南开大学电子信息与光学工程学院,天津 300071
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为了提高HIT 电池短波响应,采用电子束蒸发MoO3 制备约10nm 的宽带隙透明金属氧化物MoOx 代替非晶硅作为硅基异质结电池发射层,将短路电流从参考HIT 电池的36.91mA/cm2 提高到 38.62mA/cm2.同时,我们研究了MoOx 与本征非晶硅对硅片的钝化,发现MoOx 能一定程度钝化硅片,并且随着MoOx 薄膜厚度增加,硅片的少子寿命逐渐提升,但由于MoOx 的电导率很低,电池性能未有明显提高,在厚度较大时,反而出现下降.通常对于HIT 太阳电池,退火可以提高钝化效果,提升器件性能.但通过我们的实验发现,MoOx电池的退火钝化效果则与HIT 相反,退火会恶化电池性能.通过优化,我们获得最高转换效率为16.5％的MoOx-Si 异质结电池.
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