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使用脉冲直流反应磁控溅射在不同基底偏压的条件下制备Nb2O5薄膜。制备过程为金属Nb靶在纯氧环境中反应完成。使用光谱仪，原子力显微镜，场发射扫描电镜研究了Nb2O5薄膜的性质。对Nb2O5单层膜进行了激光损伤测试。测试激光脉冲为12ns，波长为1064nm。结果表明，相对阴极电压而言，基底偏压对薄膜损伤阈值具有很大的影响，基底偏压为-60V制备的Nb2O5薄膜损伤阈值最高，达到28.8J/cm2。