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SiC原料的纯度、粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料[2-3].本文采用高温合成炉,选择Si粉和C粉作为反应物,研究真空预处理、合成温度、合成压力、合成时间及循环工艺等生长条件对SiC颗粒成核、晶型、生长及N含量等综合性能的影响;通过SEM、GDMS和激光粒度测试仪等测试手段,对合成产物SiC微粉颗粒的微观形态及其在形成过程中的影响因素进行分析研究,结果表明合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N.进一步使用自合成原料进行晶体生长,证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的生长.