【摘 要】
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报道了在国内首先研制出160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件.用MBE的方法在半绝缘GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083
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报道了在国内首先研制出160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件.用MBE的方法在半绝缘GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术;开发了探测器芯片与读出电路互联技术.在77K时测试,器件的平均峰值探测率Dλ*=1.28×1010cmW-1Hz1/2,峰值波长为lp=8.1μm,截止波长为lc=8.47μm.器件的非盲元率(operabilty)≧98.8％,不均匀性10％.
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