900 W GaN-HEMT Transistor for L-band Radar Applications

来源 :2017中国电子设计创新大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:veteran_eng
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大多数射频和微波工程师都知道如何选择具有最佳和最低回波损耗的天线以获得最佳匹配。在实际应用中,天线的增益是跟它的尺寸和设计结构有关,选择具有最高增益的天线用于发射和接收信号的电子电路中发挥着重要的作用。使用矢量网络分析仪进行天线增益测量可能是一项昂贵的任务,因为它要涉及具有认证证书及增益值的宽带校准发射天线,又要安装有射频和微波吸波物料来减低反射的屏蔽室进行测试。本文将介绍一种廉价而有效测试方法,
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