一种高压大电流IGBT的设计与实现

来源 :2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiushizhegehao

【摘要】

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本文提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1700V/100A高压大电流的NPT-IGBT.击穿电压达1800 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间

【作者】

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张炜韩雁张世峰吴焕挺余庆

【机构】

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浙江大学信电系微电子与光电子研究所,杭州,310027

【出处】

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

【发表日期】

：

2014年期

【关键词】

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高压大电流 IGBT 芯片尺寸绝缘栅双极晶体管设计要求同类产品设计方法击穿电压

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本文提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1700V/100A高压大电流的NPT-IGBT.击穿电压达1800 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间小于800 nS、关断功耗小于30mJ,都达到设计要求.导通压降3.5V(略高),可通过增大芯片尺寸的方法加以改进(与国外同类产品相比,目前芯片尺寸偏小).

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