【摘 要】
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采用座滴法系统研究了AIN／CuTi体系在真空中的润湿性，结果表明，随着Ti含量的增大、温度升高和保温时间延长，体系的润湿性均得到改善。当Ti含量(质量分数)高于15％时，在1200℃体系的润湿角减小到10°以下。在AIN/Cu10Ti(Ti含量为10％)体系中，在1200℃保温20 min，Ti扩散至AIN侧并与之发生反应，在钎料和AIN之间生成了厚度约50 μm主要由TiN组成的反应层，促进了
【机 构】
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北京航空航天大学,北京 100191 北京自动化控制设备研究所,北京 100074
【出 处】
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第十六届全国高技术陶瓷学术年会暨景德镇高技术陶瓷高层论坛
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采用座滴法系统研究了AIN／CuTi体系在真空中的润湿性，结果表明，随着Ti含量的增大、温度升高和保温时间延长，体系的润湿性均得到改善。当Ti含量(质量分数)高于15％时，在1200℃体系的润湿角减小到10°以下。在AIN/Cu10Ti(Ti含量为10％)体系中，在1200℃保温20 min，Ti扩散至AIN侧并与之发生反应，在钎料和AIN之间生成了厚度约50 μm主要由TiN组成的反应层，促进了CuTi钎料和陶瓷基体的界面结合，改善了体系的润湿性。但由于残余应力过大，在AIN中靠近反应层处生成了裂纹。
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