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结合超高真空环境下的原位电子输运及传统电子输运测量手段,我们仔细考查了石墨烯的晶格缺陷对材料输运性能的影响.我们从机械剥离法产生的高质量单晶石墨烯样品出发,在超高真空环境下利用低能(500eV)惰性气体离子轰击石墨烯场效应器件产生晶格缺陷,并在连续超高真空环境下进行零磁场下的原位电子输运表征.
中国物理学会2012年秋季学术会议石墨烯晶格缺陷产生的可调近藤效应
【摘 要】
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结合超高真空环境下的原位电子输运及传统电子输运测量手段,我们仔细考查了石墨烯的晶格缺陷对材料输运性能的影响.我们从机械剥离法产生的高质量单晶石墨烯样品出发,在超高
【机 构】
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北京大学物理学院量子材料科学中心 北京大学理科五号楼量子材料中心616房间,100871
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年期
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