V族二维侧向异质结能带与光学特性的第一性原理计算研究

来源 :2021光电子材料与器件发展论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bold_gm
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  由于二维平面内载流子的独特性质,二维材料结构引起了人们的广泛关注。各种结构已被制备用于高性能光电器件。通过范德瓦尔斯力,可以实现不同二维材料的垂直堆叠形成垂直异质结,进而改变他们的电子,光学性能。
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目前,以发光二极管(LED)、激光器、太阳能电池和光电探测器为代表的半导体光电子器件的发展备受瞩目,其中仿真技术在揭示器件物理机理和指导生产制备方面发挥着重要作用。
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有机-无机杂化钙钛矿是现阶段被报道具有半导体、铁电极化、强自旋轨道耦合三大物理属性的新型多功能明星材料,该材料的晶体结构反演不对称性使其具有Rashba 效应。
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开展了新型大面积硅漂移探测器和三维沟槽电极探测器的研制。这些探测器适用于X 射线和粒子的探测,在高能物理、光子科学和空间有广泛的应用。
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In communication networks,the WSS is one of the key components in ROADM.Several technologies have been developed to achieve a high-performance WSS,such as MEMS,LCOS,AWG),and hybrid PLC-MEMS.
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低维材料蕴含丰富的结构与性质,涵盖了导体、半导体、绝缘体、磁体等,是非常有望带来颠覆性应用的新型功能材料。然而,低维材料从基础物理真正走向未来器件应用,需要特别关注材料控制制备及结构-物性对应关系研究。
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p型Ⅰ-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ 族直接带隙半导体化合物铜锌锡硫硒(Cu2ZnSn(S,Se)4,CZTSSe),因其所含元素地壳储量丰富、光学带隙在1.0~1.5 eV范围可调且光吸收系数可达105 cm-1等优点被视为较理想的光敏材料,成为了当前该领域的研究热点.
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通过测量量子效率(QE/IPCE),结合已知的标准太阳谱,例如AM1.5G,可以算出太阳电池全光谱下的短路电流密度Jsc.一般认为,这样导出的Jsc,应该与Ⅳ 测试的Jsc结果 相符,或者说完全相等.
不同于传统光学制造仅关注面形精度和表面粗糙度指标,强光光学元件在全空间频域都有严苛的要求,此外还必须控制与激光损伤相关的表面/亚表面极端完整性要求,给光学制造技术带来了巨大的挑战,但同时也促进了光学超精密制造技术的发展,报告主要讲述近几年上海光机所在强光光学元件超精密制造理论、工艺、技术及装备方面取得的技术进展和应用。
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GeSn is an important Si based semiconductor material.In 2015 it has been reported that a Si-based opticalpumping lasing achieved from a direct-band-gap GeSn alloy1.
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