【摘 要】
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ZnO是一种重要的直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体氧化物,具有良好的光电特性,带隙宽度为3.37eV,激子束缚能达60 meV,能够实现室温或者更高温度下的激子的发射.利用水浴法生长的ZnO纳米棒阵列不仅保留着宏观材料的基本特性,而且还具有纳米结构材料的特殊性质.MEH-PPV是P型聚合物半导体材料,而ZnO是n型材料,所以我们制备了结构为ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPWAu的反型器件,其
【机 构】
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北京交通大学光电子技术研究所,北京100044
【出 处】
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第八届全国暨华人有机分子和聚合物发光与光电特性学术会议
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ZnO是一种重要的直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体氧化物,具有良好的光电特性,带隙宽度为3.37eV,激子束缚能达60 meV,能够实现室温或者更高温度下的激子的发射.利用水浴法生长的ZnO纳米棒阵列不仅保留着宏观材料的基本特性,而且还具有纳米结构材料的特殊性质.MEH-PPV是P型聚合物半导体材料,而ZnO是n型材料,所以我们制备了结构为ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPWAu的反型器件,其中ITO为阴极,Au为阳极.该器件相对于正型器件而言,更好的利用了ZnO传输电子和MEH-PPV传输空穴的能力,提高了注入载流子的利用率.测试结果表明,该器件具有良好的整流特性,并得到ZnO的380nim处的近紫外带边发光,我们详细研究了这类器件的发光特性.
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有机光电功能材料因其独特的电子结构和性能,在材料科学领域日益凸显其重要性.刺激响应荧光材料因其可在一定的外界刺激下产生相应的荧光变化,而被广泛应用于传感、存储和光电开关等器件中.研究表明,有机发光材料的聚集态结构对其性能具有重要影响,通过对材料聚集态结构的研究,有助于揭示分子结构、聚集态结构和刺激相应荧光性质之间的联系,并进一步指导高性能材料的开发.
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9,10-二苯基乙烯基蒽(DSA)具有"聚集诱导发射"(Aggregation-induced Emission,AIE)性质,即相比于单分子状态呈现出的弱荧光,固态(聚集态)具有强烈的荧光发射.基于这一性质我们在DSA分子上同过共价键接连上亲疏水链,并通过亲疏水相互作用自组装形成DSA分子和疏水链为核心、亲水链为核壳的聚合物纳米粒子.由于DSA的AIE性质,在形成纳米粒子后,中心发光核心为聚集状
有机晶体已经引起人们的广泛关注,由于其具有较高的热稳定性,较好的电荷传输能力和较低的光损耗等优异的性质,在光波导,有机固体激光等许多高科技领域,均具有潜在的应用价值[1].通常,有机晶体的堆积方式将会影响其荧光性质和实际应用.在众多的堆积方式中,单轴取向堆积最有利于有机晶体的发光性质,但是,由于有机分子的多种构象及晶体中的多种相互作用,导致很难形成单轴取向的有机晶体[2].
载流子输运性能研究对于有机材料在光电领域中的应用具有非常重要的意义,传统的测试方法,如飞行时间法,空间电荷限制电流法,基于场效应晶体管的测试方法等,在薄膜厚度,载流子浓度,测试区域等方面上都有各自的限制[1].线性抽取电压下的瞬态电流分析法(CELIV-Charge Extraction by Linearly Increasing Voltage)在2000年由Prof Juska提出,具有以下
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Host materials for PHOLEDs have been extensively explored over the past decade1.Here we report a series of novel host materials incorporating spiro-annulated triarylamine and dibenzothiophene groups.S
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