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会议论文
高能粒子辐射加固CZ硅单晶的热处理技术
高能粒子辐射加固CZ硅单晶的热处理技术
来源 :1998年全国半导体硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:corydalis
【摘 要】
:
辐照加固CZ硅单晶受高能粒子辐射,由于辐照缺陷的产生,使期电阻率相对于其原始值有一定的偏离,经氮气气氛、650~700℃热处理,其电阻率可以其本恢复原始值。
【作 者】
:
佟丽英
裴志军
张忆延
【机 构】
:
电子材料研究所
【出 处】
:
1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
高能粒子
辐射加固
硅单晶
电阻率
粒子辐射
辐照缺陷
辐照加固
氮气气氛
热处理
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辐照加固CZ硅单晶受高能粒子辐射,由于辐照缺陷的产生,使期电阻率相对于其原始值有一定的偏离,经氮气气氛、650~700℃热处理,其电阻率可以其本恢复原始值。
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