【摘 要】
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根据GIGS薄膜性质主要依赖于Cu/In/Ga原子配比和硒化条件,与中间的生长过程无关,将Cu、In、Ga分别成膜,进行固态源后硒化处理.通过金相显微镜、XRD、SEM等仪器观察、分析薄膜材料的晶相及表观形貌,研究原子配比、衬底温度和Se蒸发温度对化合物成分组合及材料结构的影响,并制备出优势的GIGS薄膜.
【机 构】
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南开大学光电子研究所 南开大学中心实验室(天津)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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根据GIGS薄膜性质主要依赖于Cu/In/Ga原子配比和硒化条件,与中间的生长过程无关,将Cu、In、Ga分别成膜,进行固态源后硒化处理.通过金相显微镜、XRD、SEM等仪器观察、分析薄膜材料的晶相及表观形貌,研究原子配比、衬底温度和Se蒸发温度对化合物成分组合及材料结构的影响,并制备出优势的GIGS薄膜.
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