ICP 刻蚀nGaN 锥及其在LED 发光增强上的应用

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:green7116xxx
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发光二极管(LED)在众多领域都得到了广泛应用,但是目前其发光效率仍未得到有效的提高.LED 内量子效率随着半导体外延技术的不断发展已经超过70%1],然而由于光在GaN-空气界面上的全反射,光提取效率依然很低.目前,提高光提取效率的方法有很多,如表面粗化,光子晶体,垂直结构芯片等技术.其中垂直结构芯片具有导热性好,以及Ag 反射镜的存在大大提高了光出射功率的特点.
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