超临界二氧化碳溶液清洗及修复Low-k材料研究

来源 :第七届全国超临界流体技术学术及应用研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fmwksf

【摘要】

：

随着集成电路微型化和结构复杂程度的提高,微电子清洗过程中,结构构型由于表面张力的作用而导致的塌陷和变形已成为日益严重的问题。含表面活性剂的超临界二氧化碳可以将体系

【作者】

：

张小岗柴家珏

【机构】

：

中国人民大学化学系,北京,100872

【出处】

：

第七届全国超临界流体技术学术及应用研讨会

【发表日期】

：

2008年7期

【关键词】

：

超临界二氧化碳介电常数集成电路微电子清洗表面活性剂清洗效果

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随着集成电路微型化和结构复杂程度的提高,微电子清洗过程中,结构构型由于表面张力的作用而导致的塌陷和变形已成为日益严重的问题。含表面活性剂的超临界二氧化碳可以将体系表面张力降低到1 mN/m,不会造成图像的变形.结果显示,含表面活性剂的超临界二氧化碳可以达到良好的清洗效果.清洗后硅片用Hexamethyldisilazane修复后,其介电常数得以保持.

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