硅基低场磁电阻

来源 :中国物理学会2011年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:q525456781
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随着器件尺寸的不断减小,为有效提高PMOS 性能,可在PMOS 源漏极生长嵌入式SiGe以提高沟道中空穴的电迁移率.同时镍硅化物(NiSi)也因其低硅耗和低形成热预算、低电阻率等原因,在65nm 以下工艺中取得广泛的应用.
从2004 年石墨烯在实验上成功制备以来,由于其不同于传统半导体的特殊性质,石墨烯中半整数量子霍尔效应,最小电导率,Klein 隧穿等新奇现象受到了科学家们的广泛关注与研究.
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氧化锌薄膜是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体薄膜材料,具有较块体更为优异的光、电、磁等性能,可以用来制作场发射器件、紫外纳米激光器、光电探测器、太阳能电池、催化剂、化学传感器等.
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纳米TiO2是一种重要的无机功能材料,与其它形态相比,TiO2纳米管阵列具有更大的比表面积、更强的吸附能力、高效的电子传输通道.但TiO2是宽带半导体,只能吸收紫外光,而CdS也是典型的Ⅱ-Ⅵ族半导体,其禁带较窄,而且其导带能级比TiO2的高,两种半导体的导带、价带、禁带宽度不一致而发生交迭形成复合半导体,能达到对TiO2纳米管敏化修饰作用,从而提高单纯TiO2纳米管的光电化学性能.
会议
The study of the material science is the study of the phase transition.In the study of the phase transition the crystal structure in the lowest temperature phase is the essential information.Neverthel
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