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本文采用直流反应磁控溅射技术，以Ar气和N2为反应前驱气体制备了TiN功能装饰薄膜。重点研究了衬底负偏压对沉积TiN薄膜的色泽、性能及微结构的影响。采用台阶轮廓仪、X射线衍射仪、EDS能谱仪、纳米压痕仪等分析了薄膜的粗糙度、晶相、组分、纳米硬度以及弹性模量。结果表明，采用适宜的衬底负偏压调控轰击离子能量，能够有效阻止薄膜结构中空位以及缺陷的产生，从而有效避免薄膜表面的紫黑色氧化钛的生成，有利于表面光滑的金黄色TiN薄膜制备，同时使薄膜具备更优异的力学性能。实验结果还表明基体偏压可显著影响TiN薄膜的择优生长取向：随偏压增加，薄膜由（111）晶相择优生长转变为（200）晶相的择优生长，（200）晶相的薄膜比（111）晶相薄膜具有更佳的力学性能。