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该文叙述了采用DFJ--Ⅲ型静电封接机进行玻璃－硅－玻璃三层静电封接微硅传感器芯片的工艺路线和典型工艺参数，重点分析了封接面洁净程度、封接温度、封接电压等工艺参数对封接成功率的影响，并提出了在该设备上实现双面静电封接的可行方案。
双面静电封接工艺研究
【摘 要】
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该文叙述了采用DFJ--Ⅲ型静电封接机进行玻璃－硅－玻璃三层静电封接微硅传感器芯片的工艺路线和典型工艺参数，重点分析了封接面洁净程度、封接温度、封接电压等工艺参数对封接成
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所
【出 处】
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第六届全国敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
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1999年期
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