【摘 要】
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目前比较成熟的taC: N膜制备方法一般都是在si片基底上进行,实验表明半导体电极与金属导线之间的欧姆接触是taC: N电极研究中保证结果的重现性需要解决的关健问题之一形成欧
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目前比较成熟的taC: N膜制备方法一般都是在si片基底上进行,实验表明半导体电极与金属导线之间的欧姆接触是taC: N电极研究中保证结果的重现性需要解决的关健问题之一形成欧姆接触通常需要经过400 - 600度的高温处理.为了检查高温处理对taC: N膜的影响,本文模拟制作欧姆接触的过程,将taC: N膜样品在管式炉中氛气氛保护下加热到450℃左右,恒温20分钟,再缓慢冷却至常温.经过如上加热处理的taC: N膜样品:通过X-射线光电子能谱( XPS )分析,发现膜内部的碳原子的状态会发生改变,Sp<3>杂化所占的百分比减小,s p<2>％几乎不变,因而s p<2>C％: s p<3>C％的值增大,电阻率减小,同时膜中N原子的含量会因加热的温度和时问长短不同而不变或降低,但与sp杂化的C相连的N原子在全部N原子中的比例都会升高.这样的结果说明应该在制备taC: N膜之前进行si片的欧姆接触处理,成膜后再做欧姆接触是不恰当的.
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