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主要通过对场板和场限环结构的理论分析,总结了器件终端结构影响击穿电压的相关因素,提出采用场限环和场板的组合设计,可大大降低环间距、氧化层厚度及氧化层电荷对击穿电压的影响、简化工艺,获得最佳的耐压效果。利用二维器件模拟软件Medici模拟具有1200V高压阻断能力的平面快恢复二极管(FRD),最后通过实际流片验证此终端结构具有良好的电压重复性及一致性。对功率器件终端结构的设计具有一定借鉴意义。