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如何利用石墨烯实现电学器件的高开关比,同时还不降低石墨烯本身的电学性能,是当前研究的热点之一,其中以石墨烯为电极的隧穿场效应管(Tunnel field effect transistor,TFET)是其中一种有力的手段.
石墨烯/铜电极的准二维隧穿场效应管输运性质模拟
【摘 要】
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如何利用石墨烯实现电学器件的高开关比,同时还不降低石墨烯本身的电学性能,是当前研究的热点之一,其中以石墨烯为电极的隧穿场效应管(Tunnel field effect transistor,TFET)
【机 构】
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北京大学物理学院凝聚态所 100871
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
：
2012年期
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