硅晶圆D-缺陷之分析与改善

来源 :上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shuguang_888

【摘要】

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半导体用硅晶棒主要是使用CZ法长晶.在长晶过程中因温度梯度及长晶速率之变动致使点缺陷不平衡而产生D-缺陷(V-rich,COP,FPD)和A-缺陷(Large Dislocation Loops),由于D-缺陷

【作者】

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邱恒德游元信林淑萍黄冠文

【机构】

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合晶科技股份有限公司(台湾省)

【出处】

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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会

【发表日期】

：

2004年12期

【关键词】

：

硅晶圆 D-缺陷闸极氧化层高温掺氮

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半导体用硅晶棒主要是使用CZ法长晶.在长晶过程中因温度梯度及长晶速率之变动致使点缺陷不平衡而产生D-缺陷(V-rich,COP,FPD)和A-缺陷(Large Dislocation Loops),由于D-缺陷对闸极氧化层(Gate Oxide Integrity)会有坏的影响,大尺寸IC用硅晶圆以尽量少量为佳.本文主要讨论,D-缺陷之检测方法及对抛光片LPD(Light Point Defects)之影响,并且报告以高温RTP及掺氮减少D-缺陷的结果.

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