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报道了采用拓扑绝缘体作为可饱和吸收体的中红外被动调Q 掺Ho3+氟化物光纤激光器.利用水热插层/剥离的方法制备得到了纳米片结构的BiTe3 拓扑绝缘体样品，将该样品沉积到CaF基底上制得了可饱和吸收体.采用线性腔结构，在抽运功率464 mW～3.1 W 区间范围内可以得到稳定的调Q 脉冲.
基于拓扑绝缘体的被动调Q掺Ho3+氟化物光纤激光器
【摘 要】
：
报道了采用拓扑绝缘体作为可饱和吸收体的中红外被动调Q 掺Ho3+氟化物光纤激光器.利用水热插层/剥离的方法制备得到了纳米片结构的BiTe3 拓扑绝缘体样品，将该样品沉积到Ca
【机 构】
：
电子科技大学光电信息学院,四川成都610054
【出 处】
：
第十届全国激光技术与光电子学学术会议
【发表日期】
：
2015年期
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