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h-BN具有高声波传输速率和优良的透光性,具有压电效应,可作为SAW器件中合适的压电薄膜。本文采用射频磁控溅射工艺,通过调整靶距(固定其它工艺参数)来沉积压电性能优异的h—BN薄膜,从而制备优质的SAW器件。并利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)和扫描电子显微镜(SEM)来分析研究其结构特性。当靶距为6cm时,在p—Si(100)衬底上可沉积到优质h—BN薄膜,其表面光滑致密,颗粒较大,颗粒大小均匀,而且在780cm-1附近出现非常明显的吸收峰。