【摘 要】
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根据磁场直拉硅原理的微观解释[1],分析研究了磁场直拉硅晶体生长过程中,硅熔体的流动状态,结果表明,外加水平磁场的引入,造成硅熔体中扰动的增加。1、这种扰动有利于硅中杂
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根据磁场直拉硅原理的微观解释[1],分析研究了磁场直拉硅晶体生长过程中,硅熔体的流动状态,结果表明,外加水平磁场的引入,造成硅熔体中扰动的增加。1、这种扰动有利于硅中杂质或掺杂剂的均匀分布[2],对提高硅单晶电学性质的均匀性是有利的,这与实际结果相符;2、这种扰动干扰了正常的层流状态,造成层间阻力增加,表现为粘度增加,对硅熔体在水平磁场中粘度的测量表明,硅熔体的粘度确实增加了;3、这种扰动干扰了熔体正常的层流状态,造成晶体中的缺陷增加[3]。
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